BC369ZL1G

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

20V

Power Dissipation

625mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 100mA, 1A

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Voltage Rated Dc

-20V

Yayın Yılı

2007

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Frekans

65MHz

Temel Parça No

BC369

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Kurşunsuz Kodu

yes

Akım Değeri

-1A

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)

Transistor Application

AMPLIFIER

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

85 @ 500mA 1V

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Collector Base Voltage Vcbo

25V

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polaritychannel Type

PNP

Gain Bandwidth Product

56MHz

JESD-609 Kodu

e1

ECCN Kodu

EAR99

Yüzey Montaj

NO

Hfemin

50

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

3

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Max Collector Current

1A

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transistor Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Number Of Elements

1