BC237BRL1

Teknik Özellikler

Hfemin

150

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Gain Bandwidth Product

200MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Application

AMPLIFIER

Number Of Elements

1

Current Collector Cutoff Max

15nA

Transition Frequency

200MHz

Voltage Rated Dc

45V

Max Power Dissipation

350mW

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Kurşunsuz

Contains Lead

Parça Durumu

Obsolete

Akım Değeri

100mA

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transistor Element Material

SILICON

Polaritychannel Type

NPN

HTS Kodu

8541.21.00.75

JESD-609 Kodu

e0

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Montaj

Through Hole

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2006

Transistor Type

NPN

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ