BAV99LT1G

Teknik Özellikler

Diode Element Material

SILICON

Diode Configuration

1 Pair Series Connection

Number Of Elements

2

Voltage Rated Dc

70V

Yayın Yılı

2004

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

100V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Reverse Recovery Time

6ns

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Terminal Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e3

Yükseklik

1.11mm

HTS Kodu

8541.10.00.70

Diode Type

Standard

Temel Parça No

BAV99L

Forward Voltage

1V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Current Reverse Leakage Vr

2.5μA @ 70V

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Output Currentmax

0.215A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Current Average Rectified Io

215mA DC

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Junction Temperature Tj

150°C

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 150mA

Pin Sayısı

3

Qualification Status

Not Qualified

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Max Forward Surge Current Ifsm

2A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Active

Yüzey Montaj

YES

Forward Current

215mA

Reverse Voltage

100V