BAS40LT3G

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Forward Current

120mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Contact Plating

Tin

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Capacitance Vr F

5pF @ 1V 1MHz

Max Surge Current

600mA

Forward Voltage

1V

Temel Parça No

BAS40L

Qualification Status

Not Qualified

Yayın Yılı

2009

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Voltage Forward Vf Max If

1V @ 40mA

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

40V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Average Rectified Io

120mA DC

Diode Element Material

SILICON

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Reverse Voltage Dc

40V

Max Reverse Leakage Current

1μA

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Diode Type

Schottky

Power Dissipation Max

0.225W

Terminal Sayısı

3

Peak Nonrepetitive Surge Current

600mA

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

HTS Kodu

8541.10.00.70

Average Rectified Current

120mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Halogen Free

Halogen Free

Kurşunsuz Kodu

yes