BAL99LT1G

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Capacitance Vr F

1.5pF @ 0V 1MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Recovery Time

6 ns

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

225mW

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Halogen Free

Halogen Free

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Terminal

SMD/SMT

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Genişlik

1.4mm

Breakdown Voltage V

70V

Diode Type

Standard

Yayın Yılı

2007

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Yükseklik

1.01mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

HTS Kodu

8541.10.00.70

Akım Değeri

100mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Power Dissipation

300mW

Pin Sayısı

3

Uzunluk

3.04mm

Output Current

100mA

Forward Current

100mA

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

70V

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Reach Svhc

No SVHC

Average Rectified Current

100mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Reverse Recovery Time

6 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3

Current Average Rectified Io

100mA DC

Diode Element Material

SILICON