Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Kaplaması
- Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Yayın Yılı
- 2012
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 90 @ 30mA 5V
- Max Collector Current
- 100mA
- Element Configuration
- Single
- Genişlik
- 2.5mm
- Kılıf / Paket
- TO-243AA
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Gain
- 9dB
- Yükseklik
- 1.5mm
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- NPN
- Parça Durumu
- Active
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Uzunluk
- 4.5mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Noise Figure Db Typ F
- 1.1dB @ 1GHz
- Max Frequency
- 8GHz
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2V
- Hfemin
- 90
- Lifecycle Status
- ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Pin Sayısı
- 3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation
- 800mW
- JESD-609 Kodu
- e6
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 3
- Gain Bandwidth Product
- 6.7 GHz
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors