2SB1302T-TD-E

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Power Dissipation

1.3W

Uzunluk

4.5mm

Yayın Yılı

2005

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 60mA, 3A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 500mA 2V

Genişlik

2.5mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Parça Durumu

Active

Transition Frequency

320MHz

Transistor Element Material

SILICON

Yükseklik

1.5mm

Polaritychannel Type

PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-243AA

Max Collector Current

5A

Collector Base Voltage Vcbo

25V

Terminal Formu

FLAT

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

1.3W

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Case Connection

COLLECTOR

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

YES

Transistor Type

PNP

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Currentcollector Ic Max

5A

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV