2N6515RLRMG

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

45 @ 50mA 10V

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Max Collector Current

500mA

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

3

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 5mA, 50mA

Turn On Timemax Ton

200ns

Collector Base Voltage Vcbo

250V

JESD-609 Kodu

e1

Hfemin

35

Element Configuration

Single

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Box (TB)

HTS Kodu

8541.21.00.95

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Max Power Dissipation

625mW

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2007

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Transistor Type

NPN

Transition Frequency

40MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Gain Bandwidth Product

200MHz

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Voltage Rated Dc

250V

Akım Değeri

500mA

Temel Parça No

2N6515

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant