Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 350mW
- Noise Figure Db Typ F
- 6dB @ 60MHz
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 1997
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Ambalaj
- Tape & Box (TB)
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 15V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 8mA 10V
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Temel Parça No
- 2N5770
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Gain
- 15dB
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors