Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Obsolete
- Lifecycle Status
- CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)
- Power Dissipation
- 350mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Voltage Rated Dc
- 25V
- Temel Parça No
- 2N5555
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Pin Sayısı
- 3
- Montaj
- Through Hole
- Yayın Yılı
- 2008
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Weight
- 201mg
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Bulk
- Element Configuration
- Single
- Akım Değeri
- 15mA
- Gate To Source Voltage Vgs
- 25V
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Continuous Drain Current Id
- 15mA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Breakdown Voltage V
- -25V
- Drain To Source Resistance
- 150Ohm
- Transistor Type
- N-Channel JFET
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Pin Sayısı
- 3
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors