2N5551RLRPG

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Obsolete

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Temel Parça No

2N5551

Voltage Rated Dc

160V

Power Dissipation

625mW

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yüzey Montaj

NO

Hfemin

80

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Max Power Dissipation

625mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Yayın Yılı

2007

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Element Configuration

Single

Akım Değeri

600mA

Max Collector Current

600mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Collector Base Voltage Vcbo

180V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Through Hole

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Gain Bandwidth Product

300MHz

JESD-609 Kodu

e1

Transition Frequency

100MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Frekans

300MHz

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

NPN