2N5551RLRMG

Teknik Özellikler

Qualification Status

Not Qualified

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Terminal Sayısı

3

Polaritychannel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Gain Bandwidth Product

300MHz

JESD-609 Kodu

e1

Transition Frequency

100MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Akım Değeri

600mA

Max Collector Current

600mA

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Kurşunsuz

Lead Free

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2006

Transistor Application

AMPLIFIER

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS Kodu

8541.21.00.95

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Pin Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Max Power Dissipation

625mW

Temel Parça No

2N5551

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV