2N5551RLRM

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

625mW

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Voltage Rated Dc

160V

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Temel Parça No

2N5551

Hfemin

80

Transistor Application

AMPLIFIER

Yayın Yılı

2006

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Kurşunsuz

Contains Lead

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Element Configuration

Single

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS Kodu

8541.21.00.95

Collector Base Voltage Vcbo

180V

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Akım Değeri

600mA

Max Collector Current

600mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Number Of Elements

1

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Transistor Element Material

SILICON

Polaritychannel Type

NPN

Terminal Sayısı

3

Qualification Status

Not Qualified

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA