2N5551RL1G

Teknik Özellikler

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Hfemin

80

Temel Parça No

2N5551

Power Dissipation

625mW

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Voltage Rated Dc

160V

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Collector Emitter Voltage Vceo

160V

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Collectoremitter Breakdown Voltage

160V

Max Breakdown Voltage

160V

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Through Hole

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Transition Frequency

100MHz

Additional Feature

EUROPEAN PART NUMBER

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Obsolete

Yüzey Montaj

NO

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Power Dissipation

625mW

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Yayın Yılı

2006

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Collector Current

600mA

Akım Değeri

600mA