Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Paket
- Bulk
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 56 @ 5mA, 5V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Power Max
- 300 mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-92-3
- Resistor Base R1
- 22 kOhms
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50 V
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- Ürün Durumu
- Active
- Currentcollector Ic Max
- 100 mA
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA (ICBO)
- Frequency Transition
- 200 MHz
- Resistor Emitter Base R2
- 22 kOhms
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors