EE-SY199

Teknik Özellikler

Çıkış Tipi

Phototransistor

Fall Time Typ

20 μs

Rise Time

20μs

Max Collector Current

20mA

Configuration

SINGLE

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2003

Nem Hassasiyeti (MSL)

5 (48 Hours)

Power Dissipation

100mW

Montaj

PCB, Surface Mount

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Forward Current

50mA

Uzunluk

3.2mm

Max Breakdown Voltage

35V

Optoelectronic Device Type

TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Case Code Imperial

1206

Response Time

20μs, 20μs

Output Current

20mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Depth

1.7mm

Kılıf / Paket

1206 (3216 Metric)

Max Supply Voltage Dc

1.4V

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Algılama Mesafesi

0.039 (1mm)

Case Code Metric

3216

Reach Svhc

Unknown

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Kurşunsuz

Lead Free

Yükseklik

1.1mm

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Number Of Elements

1

Reverse Voltage

6V

Pin Sayısı

4

Sensing Method

Reflective

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Forward Voltage

1.2V

Reverse Breakdown Voltage

6V