EE-SX1131

Teknik Özellikler

Tip

Unamplified

Max Power Dissipation

75mW

Number Of Channels

1

Sensing Method

Through-Beam

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

75mW

Rise Time

10μs

Çalışma Sıcaklığı

-30°C~85°C

Forward Voltage

1.1V

Output Voltage

20V

Çıkış Tipi

Phototransistor

Terminal

SMD/SMT

Radyasyon Dayanımı

No

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Pin Sayısı

6

Fonksiyon Sayısı

2

Input Current

5mA

Yükseklik

4mm

Output Current

20mA

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Algılama Mesafesi

0.079 (2mm)

JESD-609 Kodu

e1

Output Configuration

2 NPN

Reverse Breakdown Voltage

5V

Genişlik

4mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Reverse Voltage Dc

5V

Wavelength

940 nm

Max Collector Current

20mA

Parça Durumu

Obsolete

Number Of Elements

2

Max Breakdown Voltage

20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Montaj

PCB, Surface Mount

Voltage Rated Dc

20V

Yayın Yılı

2002

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Slot Widthnom

2mm

Forward Current

25mA