EE-SX1109-1

Teknik Özellikler

Output Configuration

Phototransistor

Algılama Mesafesi

0.118 (3mm)

Tip

Unamplified

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2010

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

20V

Sensing Method

Through-Beam

Current Dc Forward If Max

25mA

Çalışma Sıcaklığı

-30°C~85°C

Currentcollector Ic Max

20mA

Parça Durumu

Obsolete

Kılıf / Paket

Module, Slotted

Ambalaj

Bag

Response Time

10μs, 10μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)