EE-SX1096

Teknik Özellikler

Reverse Voltage Dc

4V

Sensing Method

Through-Beam

Kurşunsuz

Lead Free

Algılama Mesafesi

0.134 (3.4mm)

Output Configuration

Phototransistor

Tip

Unamplified

Max Power Dissipation

100mW

Reverse Breakdown Voltage

4V

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Montaj Tipi

Through Hole

Genişlik

6mm

Dark Currentmax

200nA

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Pin Sayısı

4

Rise Time

4μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Forward Voltage

1.2V

Power Dissipation

100mW

Parça Durumu

Active

Max Collector Current

20mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Slot Widthnom

3.4mm

Wavelength Peak

940 nm

Number Of Elements

1

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yayın Yılı

2003

Montaj

Screw, Through Hole

Ambalaj

Bulk

Onstate Collector Currentnom

0.5mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Response Time

4μs, 4μs

Fall Time Typ

4 μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Forward Current

50mA

Input Current

50mA

Yükseklik

25mm

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Reach Svhc

Unknown

Kılıf / Paket

PCB Mount