EE-SJ8-B

Teknik Özellikler

Sensing Method

Through-Beam

Tip

Unamplified

Output Configuration

Phototransistor

Algılama Mesafesi

0.315 (8mm)

Montaj Tipi

Through Hole

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Dark Currentmax

200nA

Power Dissipation

100mW

Rise Time

4μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Max Collector Current

20mA

Parça Durumu

Active

Slot Widthnom

8mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Fonksiyon Sayısı

1

Montaj

Through Hole

Yayın Yılı

1999

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

4μs, 4μs

Kurşunsuz Kodu

yes

Onstate Collector Currentnom

20mA

Ambalaj

Bulk

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Fall Time Typ

4 μs

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Forward Current

50mA

Kılıf / Paket

PCB Mount

Currentcollector Ic Max

20mA

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks