EE-SH3-D

Teknik Özellikler

Additional Feature

HIGH SENSITIVITY

Montaj Tipi

Through Hole

Output Configuration

Phototransistor

Algılama Mesafesi

0.134 (3.4mm)

Tip

Unamplified

Sensing Method

Through-Beam

Kurşunsuz

Lead Free

Reverse Voltage Dc

4V

Max Collector Current

20mA

Parça Durumu

Active

Power Dissipation

100mW

Forward Voltage

1.2V

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Rise Time

4μs

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Dark Currentmax

200nA

Pin Sayısı

4

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Through Hole

Yayın Yılı

2003

Fonksiyon Sayısı

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Slot Widthnom

3.4mm

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Kılıf / Paket

PCB Mount

Reach Svhc

Unknown

Forward Current

50mA

Output Current

20mA

Fall Time Typ

4 μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Ambalaj

Bulk

Onstate Collector Currentnom

0.1mA

Response Time

4μs, 4μs

Kurşunsuz Kodu

yes