EE-SA103

Teknik Özellikler

Power Dissipation

100mW

Rise Time

4μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Forward Voltage

1.2V

Max Collector Current

20mA

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Dark Currentmax

200nA

Pin Sayısı

4

Algılama Mesafesi

0.118 (3mm)

Output Configuration

Phototransistor

Tip

Unamplified

Montaj Tipi

Through Hole

Reverse Voltage Dc

4V

Sensing Method

Through-Beam

Kurşunsuz

Lead Free

Wavelength

940 nm

Forward Current

50mA

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Kılıf / Paket

PCB Mount

Reach Svhc

Unknown

Ambalaj

Bulk

Onstate Collector Currentnom

0.5mA

Response Time

4μs, 4μs

Fall Time Typ

4 μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Breakdown Voltage

30V

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Through Hole

Yayın Yılı

2002

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Slot Widthnom

3mm