EE-SPWD411

Teknik Özellikler

Çıkış Tipi

Phototransistor

Çalışma Sıcaklığı

-10°C~55°C

Parça Durumu

Active

Max Collector Current

20mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-10°C

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Light Source

Infrared (940nm)

Besleme Gerilimi

5V~24V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

55°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Connection Method

Connector

Output Configuration

NPN - Open Collector/Light-ON

Algılama Mesafesi

39.370 (1m)

Yayın Yılı

2010

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Adjustment Type

Adjustable

Sensing Method

Through-Beam

Ingress Protection

IEC IP60