MW6S010NR1

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

2

Yayın Yılı

2009

Jesd30 Code

R-PDFM-F2

HTS Kodu

8541.29.00.75

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nominal Gerilim

68V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Test

125mA

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain

18dB

Power Dissipationmax Abs

61.4W

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Parça Durumu

Not For New Designs

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Power Output

10W

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Formu

FLAT

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Usage Level

Military grade

Kılıf / Paket

TO-270AA

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

LDMOS

Frekans

960MHz

Voltage Test

28V

Configuration

SINGLE

Yüzey Montaj

YES

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Case Connection

SOURCE

Ds Breakdown Voltagemin

68V

Temel Parça No

MW6S010

Operating Temperature Max

225°C