MW6S010GNR1

Teknik Özellikler

Ds Breakdown Voltagemin

68V

Case Connection

SOURCE

Temel Parça No

MW6S010

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Operating Temperature Max

225°C

Voltage Test

28V

Frekans

960MHz

Transistor Type

LDMOS

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yüzey Montaj

YES

Configuration

SINGLE

Usage Level

Military grade

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609 Kodu

e3

Kılıf / Paket

TO-270BA

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Transistor Element Material

SILICON

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Gain

18dB

Power Dissipationmax Abs

61.4W

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Power Output

10W

Parça Durumu

Active

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Current Test

125mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nominal Gerilim

68V

Terminal Sayısı

2

Terminal Pozisyonu

DUAL

HTS Kodu

8541.29.00.75

Jesd30 Code

R-PDSO-G2

Yayın Yılı

2009