MW6S004NT1

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Power Output

4W

Parça Durumu

Active

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Gain

18dB

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

1

HTS Kodu

8541.29.00.75

Jesd30 Code

R-PQSO-N4

Yayın Yılı

2009

Terminal Sayısı

4

Terminal Pozisyonu

QUAD

Current Test

50mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Nominal Gerilim

68V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yüzey Montaj

YES

Configuration

SINGLE

Voltage Test

28V

Frekans

1.96GHz

Transistor Type

LDMOS

Operating Temperature Max

150°C

Temel Parça No

MW6S004

Ds Breakdown Voltagemin

68V

Case Connection

SOURCE

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

NO LEAD

Qualification Status

Not Qualified

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

PLD-1.5

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Usage Level

Military grade

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR