Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fet Technology
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- Not Applicable
- Power Dissipationmax Abs
- 1052W
- Transistor Type
- LDMOS (Dual)
- Terminal Sayısı
- 4
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Frekans
- 860MHz
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Transistor Element Material
- SILICON
- Temel Parça No
- MRFE6VP8600
- Terminal Formu
- FLAT
- Number Of Elements
- 2
- Gain
- 19.3dB
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nominal Gerilim
- 130V
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F4
- Yayın Yılı
- 2011
- Voltage Test
- 50V
- Configuration
- COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Yüzey Montaj
- YES
- Case Connection
- SOURCE
- Qualification Status
- Not Qualified
- Current Test
- 1.4A
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Ds Breakdown Voltagemin
- 130V
- HTS Kodu
- 8541.29.00.75
- Kılıf / Paket
- NI-1230
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Temperature Max
- 150°C
- Power Output
- 125W
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors