MRFE6S9125NR1

Teknik Özellikler

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Transistor Type

LDMOS

Terminal Sayısı

4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Frekans

880MHz

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Not For New Designs

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

FLAT

Temel Parça No

MRFE6S9125

Gain

20.2dB

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

R-PDFP-F4

Nominal Gerilim

66V

Yayın Yılı

2006

Voltage Test

28V

Case Connection

SOURCE

Configuration

SINGLE

Yüzey Montaj

YES

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Current Test

950mA

HTS Kodu

8541.29.00.75

Ds Breakdown Voltagemin

66V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

AMPLIFIER

Kılıf / Paket

TO-270AB

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Power Output

27W

Operating Temperature Max

225°C