MRF9120LR3

Teknik Özellikler

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

RoHS

Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

65 V

Voltage Rating

65 V

Transistor Type

LDMOS

Drain To Source Breakdown Voltage

65 V

Element Configuration

Dual

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

250 W

Yayın Yılı

2010

Current Test

1A

Gate To Source Voltage Vgs

15 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Test Voltage

26 V

Test Current

1 A

Pin Sayısı

860

Gain

16.5dB

Üretici Parça No

MRF9120LR3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Part Life Cycle Code

Obsolete

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Voltage Test

26V

Risk Rank

5.84

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65 °C

Power Output

120W

Max Power Dissipation

250 W

Kılıf / Paket

NI-860

Nominal Gerilim

65V

Frekans

880MHz

Output Power

120 W