Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Transistor Element Material
- SILICON
- Ds Breakdown Voltagemin
- 70V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Terminal Formu
- FLAT
- Gain
- 19.1dB
- Qualification Status
- Not Qualified
- Transistor Type
- LDMOS (Dual)
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Operating Temperature Max
- 225°C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Yayın Yılı
- 2010
- Current Test
- 320mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Fet Technology
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Output
- 4W
- JESD-609 Kodu
- e3
- Frekans
- 960MHz
- Configuration
- COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Nominal Gerilim
- 70V
- Case Connection
- SOURCE
- Kılıf / Paket
- TO-272-4
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Yüzey Montaj
- YES
- HTS Kodu
- 8541.29.00.75
- Terminal Sayısı
- 4
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Number Of Elements
- 2
- Jesd30 Code
- R-PDFM-F4
- Voltage Test
- 28V
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors