MRF6V4300NBR1

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

HTS Kodu

8541.29.00.75

Terminal Sayısı

4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Voltage Test

50V

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Jesd30 Code

R-PDFM-F4

JESD-609 Kodu

e3

Power Output

300W

Case Connection

SOURCE

Kılıf / Paket

TO-272BB

Nominal Gerilim

110V

Configuration

SINGLE

Frekans

450MHz

ECCN Kodu

EAR99

Operating Temperature Max

225°C

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Transistor Type

LDMOS

Transistor Application

AMPLIFIER

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Temel Parça No

MRF6V4300

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Current Test

900mA

Yayın Yılı

2010

Usage Level

Military grade

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Formu

FLAT

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ds Breakdown Voltagemin

110V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Qualification Status

Not Qualified

Gain

22dB