MRF6V2300NBR1

Teknik Özellikler

Voltage Test

50V

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Jesd30 Code

R-PDFM-F4

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

4

HTS Kodu

8541.29.00.75

Nominal Gerilim

110V

Kılıf / Paket

TO-272BB

Case Connection

SOURCE

Frekans

220MHz

Configuration

SINGLE

Power Output

300W

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Temel Parça No

MRF6V2300

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2006

Current Test

900mA

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Operating Temperature Max

225°C

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

LDMOS

Transistor Application

AMPLIFIER

Qualification Status

Not Qualified

Gain

25.5dB

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ds Breakdown Voltagemin

110V