MRF6V2010NR1

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

HTS Kodu

8541.29.00.75

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

MRF6V2010

Configuration

SINGLE

Case Connection

SOURCE

Current Test

30mA

Transistor Element Material

SILICON

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Voltage Test

50V

Yayın Yılı

2006

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PDFM-F2

Power Output

10W

Terminal Formu

FLAT

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-270AA

Terminal Sayısı

2

Frekans

220MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Gain

23.9dB

Transistor Type

LDMOS

Nominal Gerilim

110V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Operating Temperature Max

225°C

Transistor Application

AMPLIFIER

Ds Breakdown Voltagemin

110V

Qualification Status

Not Qualified