MRF6S20010NR1

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2005

Voltage Test

28V

Power Output

10W

Jesd30 Code

R-PDFM-F2

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

FLAT

Kılıf / Paket

TO-270AA

Terminal Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Frekans

2.17GHz

Usage Level

Military grade

Nominal Gerilim

68V

Gain

15.5dB

Transistor Type

LDMOS

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Operating Temperature Max

225°C

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Qualification Status

Not Qualified

Ds Breakdown Voltagemin

68V

Transistor Application

AMPLIFIER

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

HTS Kodu

8541.29.00.75

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

MRF6S20010

Configuration

SINGLE

Case Connection

SOURCE

Current Test

130mA

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Not For New Designs

Transistor Element Material

SILICON