MRF6S20010GNR1

Teknik Özellikler

Case Connection

SOURCE

Current Test

130mA

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

HTS Kodu

8541.29.00.75

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

MRF6S20010

Configuration

SINGLE

Frekans

2.17GHz

Nominal Gerilim

68V

Gain

15.5dB

Transistor Type

LDMOS

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Operating Temperature Max

225°C

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Qualification Status

Not Qualified

Ds Breakdown Voltagemin

68V

Transistor Application

AMPLIFIER

Yayın Yılı

2005

Voltage Test

28V

Jesd30 Code

R-PDFM-G2

Power Output

10W

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

2

Kılıf / Paket

TO-270BA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant