MRF6S19100NR1

Teknik Özellikler

Nominal Gerilim

68V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Type

LDMOS

Gain

14.5dB

Frekans

1.99GHz

Qualification Status

Not Qualified

Ds Breakdown Voltagemin

68V

Transistor Application

AMPLIFIER

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Output

22W

Jesd30 Code

R-PDFP-F4

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Voltage Test

28V

Yayın Yılı

2007

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-270AB

Terminal Sayısı

4

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

FLAT

Current Test

950mA

Case Connection

SOURCE

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Yüzey Montaj

YES

Configuration

SINGLE

Temel Parça No

MRF6S19100

HTS Kodu

8541.29.00.75

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99