Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yüzey Montaj
- YES
- Power Dissipationmax Abs
- 0.23W
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Drainsource On Resistancemax
- 120Ohm
- Pin Sayısı
- 4
- Configuration
- SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Kılıf / Paket
- TO-253-4, TO-253AA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Drain Currentmax Abs Id
- 0.05A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G4
- Transistor Application
- SWITCHING
- Transistor Type
- N-Channel
- JESD-609 Kodu
- e3
- ECCN Kodu
- EAR99
- Ds Breakdown Voltagemin
- 10V
- Operating Temperature Max
- 125°C
- Current Rating Amps
- 50mA
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Nominal Gerilim
- 10V
- Yayın Yılı
- 1997
- Terminal Sayısı
- 4
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Parça Durumu
- Obsolete
- Number Of Elements
- 1
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Formu
- GULL WING
- Case Connection
- SUBSTRATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fet Technology
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors