BLF4G20LS-130,112

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

YES

Frekans

1.93GHz~1.99GHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Element Material

SILICON

Gain

14.6dB

ECCN Kodu

EAR99

Operating Temperature Max

150°C

Terminal Formu

FLAT

Ds Breakdown Voltagemin

65V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Rating Amps

15A

Current Test

900mA

Terminal Sayısı

3

Jesd30 Code

R-CDFP-F3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nominal Gerilim

65V

Yayın Yılı

2007

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Case Connection

SOURCE

Number Of Elements

1

Transistor Type

LDMOS

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tray

Power Output

130W

Voltage Test

28V

Configuration

SINGLE

Qualification Status

Not Qualified

Kılıf / Paket

SOT-502B

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Transistor Application

AMPLIFIER

Drain Currentmax Abs Id

15A

Temel Parça No

BLF4G20

Terminal Pozisyonu

DUAL

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR