+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
BFU660F,115

NXP USA Inc.

BFU660F,115

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Temel Parça No
BFU660
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Montaj Tipi
Surface Mount
Parça Durumu
Active
Pin Sayısı
4
Transistor Type
NPN
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
90 @ 10mA 2V
Frequency Transition
21GHz
Yayın Yılı
2010
Gain
12dB ~ 21dB
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Currentcollector Ic Max
60mA
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Power Max
225mW
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Kılıf / Paket
SOT-343F
Noise Figure Db Typ F
0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Source Url Status Check Date
2013-06-14 00:00:00
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
5.5V

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek