Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yüzey Montaj
- NO
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 1
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 40V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Power Max
- 300mW
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 67 @ 1mA 10V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Bulk
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Frequency Transition
- 150MHz
- Transistor Type
- NPN
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 1998
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Qualification Status
- Not Qualified
- Configuration
- SINGLE
- Parça Durumu
- Obsolete
- Power Dissipationmax Abs
- 0.35W
- Temel Parça No
- BF240
- JESD-609 Kodu
- e3
- Transition Frequency
- 150MHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- ECCN Kodu
- EAR99
- Currentcollector Ic Max
- 25mA
- Jesd30 Code
- O-PBCY-T3
- Terminal Sayısı
- 3
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors