+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

NXP USA Inc.

A5G35H055NT4

RF MOSFETs Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Number Of Channels
2 Channel
RoHS
Details
Output Power
7.6 W
Ambalaj
Cut Tape
Vgs Gatesource Voltage
- 8 V
Operating Frequency
3400 MHz to 3600 MHz
Seri
*
Ürün Tipi
RF MOSFET Transistors
Gain
13.5 dB
Transistor Polarity
Dual N-Channel
Montaj Stili
SMD/SMT
Paket
Tape & Reel (TR)
Ürün Durumu
Active
Tip
RF Power MOSFET
Kılıf / Paket
DFN-6
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 150 C
Vds Drainsource Breakdown Voltage
125 V
Technology
GaN Si
Part Aliases
935417638528
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- 3.5 V
Moisture Sensitive
Yes
Id Continuous Drain Current
3.8 mA
Fabrika Paket Adedi
2500

İlgili Ürünler

  • Microchip

    0105-50

    RF MOSFETs Transistors
  • Microchip

    0405SC-1000M

    RF MOSFETs Transistors
  • Microsemi

    0405SC-100M

    RF MOSFETs Transistors
  • Microchip

    0405SC-1500M

    RF MOSFETs Transistors
  • Microchip Technology

    0912GN-100LV

    RF MOSFETs Transistors
  • Microchip Technology

    0912GN-15E

    RF MOSFETs Transistors
  • Microchip Technology

    0912GN-15EL

    RF MOSFETs Transistors
  • Microchip Technology

    0912GN-15EP

    RF MOSFETs Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek