+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

NXP USA Inc.

A5G35H055NT4

RF MOSFETs Transistors

StoktaRoHS: Compliant
Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Number Of Channels
2 Channel
RoHS
Details
Output Power
7.6 W
Ambalaj
Cut Tape
Vgs Gatesource Voltage
- 8 V
Operating Frequency
3400 MHz to 3600 MHz
Seri
*
Ürün Tipi
RF MOSFET Transistors
Gain
13.5 dB
Transistor Polarity
Dual N-Channel
Montaj Stili
SMD/SMT
Paket
Tape & Reel (TR)
Ürün Durumu
Active
Tip
RF Power MOSFET
Kılıf / Paket
DFN-6
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 150 C
Vds Drainsource Breakdown Voltage
125 V
Technology
GaN Si
Part Aliases
935417638528
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- 3.5 V
Moisture Sensitive
Yes
Id Continuous Drain Current
3.8 mA
Fabrika Paket Adedi
2500

İlgili Ürünler

  • Stokta

    Microchip

    0105-50

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microchip

    0405SC-1000M

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microsemi

    0405SC-100M

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microchip

    0405SC-1500M

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microchip Technology

    0912GN-100LV

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microchip Technology

    0912GN-15E

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microchip Technology

    0912GN-15EL

    RF MOSFETs Transistors
  • Stokta

    Microchip Technology

    0912GN-15EP

    RF MOSFETs Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek