PBR941,215

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

YES

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collector Base Voltage Vcbo

20 V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175 °C

Max Power Dissipation

360 mW

Max Breakdown Voltage

10 V

Currentcollector Ic Max

50mA

Yayın Yılı

1998

Transistor Type

NPN

Uzunluk

3 mm

Weight

4.535924 g

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65 °C

Polarity

NPN

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

PBR941

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Genişlik

1.4 mm

Additional Feature

LOW NOISE, HIGH RELIABILITY

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

10V

HTS Kodu

8541.21.00.75

Collectoremitter Breakdown Voltage

10 V

Highest Frequency Band

ULTRA HIGH FREQUENCY B

Pin Sayısı

3

Yükseklik

1 mm

Gain Bandwidth Product

8 GHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Transistor Application

AMPLIFIER

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 5mA 6V

Contact Plating

Tin

Transition Frequency

8 GHz

Gain

15 dB

Collector Emitter Voltage Vceo

10 V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

175°C TJ