MRF8P20165WHSR3

Teknik Özellikler

Test Voltage

28 V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Gate To Source Voltage Vgs

10 V

Terminal Formu

FLAT

Pin Sayısı

5

Drain To Source Voltage Vdss

65 V

Transistor Type

LDMOS (Dual)

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

AMPLIFIER

Operating Temperature Max

125°C

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Element Configuration

Single

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Max Frequency

2.025 GHz

Power Output

37W

Frekans

2.01 GHz

Configuration

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

Output Power

37 W

Kılıf / Paket

NI-780S-4

HTS Kodu

8541.29.00.75

Halogen Free

Halogen Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65 °C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125 °C

Ds Breakdown Voltagemin

65V

Transistor Element Material

SILICON

Weight

3.086101 g

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Parça Durumu

Obsolete

Gain

14.8 dB

Qualification Status

Not Qualified

Test Current

550 mA

RoHS

Compliant

Voltage Rating

65 V

Drain To Source Breakdown Voltage

65 V

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Yayın Yılı

2006

Current Test

550mA