Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 8
- Frequency Transition
- 125MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Montaj
- Surface Mount
- Max Breakdown Voltage
- 100V
- Terminal Sayısı
- 6
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Transition Frequency
- 125MHz
- Case Connection
- COLLECTOR
- Terminal Formu
- GULL WING
- Seri
- *
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kılıf / Paket
- SOT-1205, 8-LFPAK56
- Ürün Durumu
- Active
- Reference Standard
- AEC-Q101; IEC-60134
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 500mA 10V
- Polaritychannel Type
- PNP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 360mV @ 200mA, 2A
- Transistor Element Material
- SILICON
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Power Max
- 1.25W
- Parça Durumu
- Active
- Transistor Application
- SWITCHING
- Max Collector Current
- 3A
- Çalışma Sıcaklığı
- 175°C TJ
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 2
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Paket
- Retail Package
- Max Power Dissipation
- 1.25W
- Yayın Yılı
- 2014
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 360mV
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

