Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 175°C (TJ)
- Max Collector Current
- 3A
- Power Max
- 1.25W
- Parça Durumu
- Active
- Transistor Application
- SWITCHING
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- LFPAK56D
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 360mV
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Paket
- Bulk
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Max Power Dissipation
- 1.25W
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2014
- Number Of Elements
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Currentcollector Ic Max
- 3A
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Transition Frequency
- 125MHz
- Case Connection
- COLLECTOR
- Terminal Sayısı
- 6
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Max Breakdown Voltage
- 100V
- Montaj
- Surface Mount
- Frequency Transition
- 125MHz
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 100V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Polaritychannel Type
- PNP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 360mV @ 200mA, 2A
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kılıf / Paket
- SOT-1205, 8-LFPAK56
- Ürün Durumu
- Obsolete
- Reference Standard
- AEC-Q101; IEC-60134
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 500mA, 10V
- Terminal Formu
- GULL WING
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors