+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

NXP

PDTC115EMB315

Pre-Biased BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Frequency Transition
230 MHz
Boyut / Ölçü
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Current Supply Max
4.5mA
Montaj Tipi
Surface Mount
Çalışma Sıcaklığı
-20°C ~ 70°C
Tip
XO (Standard)
Vce Saturation Max Ib Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Power Max
250 mW
Besleme Gerilimi
2.8V
Resistor Emitter Base R2
100 kOhms
Current Collector Cutoff Max
1µA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
80 @ 5mA, 5V
Seri
SiT1602B
Function
Enable/Disable
Kılıf / Paket
4-SMD, No Lead
Resistor Base R1
100 kOhms
Frekans
66.6 MHz
Output
HCMOS, LVCMOS
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
50 V
Maks. Oturma Yüksekliği
0.031 (0.80mm)
Frequency Stability
±50ppm
Tedarikçi Cihaz Paketi
DFN1006B-3
Paket
Strip
Ürün Durumu
Active
Currentcollector Ic Max
20 mA
Base Resonator
MEMS

İlgili Ürünler

  • Panjit

    2SC164S_R2_00001

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Aptina

    2SC3402-AC

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Renesas Electronics America Inc

    2SD1697-AZ

    Pre-Biased BJT Transistors
  • IMP

    4245.08.00

    Pre-Biased BJT Transistors
  • IMP

    4245.08.01

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Nexperia

    934055050115

    Pre-Biased BJT Transistors
  • WEIDMÜLLER

    9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Diodes Incorporated

    ADA123JUQ-7

    Pre-Biased BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek