Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30 V
- Package Body Material
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Üretici Parça No
- NTE313
- Frequency Transition
- 530MHz
- Part Life Cycle Code
- Active
- Number Of Elements
- 1
- Package Description
- DISK BUTTON, O-CRDB-F3
- Noise Figure Db Typ F
- 2.5dB @ 200MHz
- Gain
- 23dB
- Yüzey Montaj
- YES
- Ihs Manufacturer
- NTE ELECTRONICS INC
- Currentcollector Ic Max
- 20mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- Max Collector Current
- 20 mA
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -60 °C
- Collector Currentmax Ic
- 0.02 A
- Collectorbase Capacitancemax
- 1 pF
- Polaritychannel Type
- NPN
- Weight
- 7.257478 g
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30 V
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Configuration
- SINGLE
- Collectoremitter Voltagemax
- 30 V
- Kılıf / Paket
- 3-SMD, Flat Lead
- Qualification Status
- Not Qualified
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C (TJ)
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Package Style
- DISK BUTTON
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Transition Frequencynom Ft
- 530 MHz
- Paket
- Bag
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 3-SMD
- Dc Current Gainmin Hfe
- 25
- Package Shape
- ROUND
- Terminal Formu
- FLAT
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors

