PUMZ1,115

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN, PNP

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

40V

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Frequency Transition

100MHz

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

2

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Transition Frequency

100MHz

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Max

300mW

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Polarity

NPN, PNP

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2002

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

P*MZ1

Currentcollector Ic Max

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks