Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Transition Frequency
- 100MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Currentcollector Ic Max
- 150mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Application
- SWITCHING
- Terminal Formu
- GULL WING
- Yayın Yılı
- 2009
- Terminal Sayısı
- 6
- Power Max
- 300mW
- Number Of Elements
- 2
- Transistor Element Material
- SILICON
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Frequency Transition
- 100MHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 5mA, 50mA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Pin Sayısı
- 6
- Qualification Status
- Not Qualified
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors