PUMH1,115

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Frequency Transition

230MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 5V

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

6

HTS Kodu

8541.21.00.95

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

100nA

Resistor Base R1

22k Ω

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2011

Power Max

300mW

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Polarity

NPN

Temel Parça No

P*MH1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Currentcollector Ic Max

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount